比闪存快6倍，TDK首次演示MRAM存储器原型？

对于下一代存储技术，人们不仅希望其速度更快、延迟更低，还希望其非易失性，断电后无数据丢失。在许多后续标准中，MRAM(磁阻随机存取存储器)是最有前途的一个，具有上述两个优点。在日本高科技博览会上，TDK公司首次展示了由STT-MRAM技术制造的8Mb内存。虽然容量很小，但读写性能是闪存的7倍以上。

英特尔、IBM、三星、SK海力士、高通等公司都在投资研发；d，但是日本公司在这个领域也很强。除了东芝，TDK也是重要的参与者。这一次，他们在日本切泰克博览会上首次展示了MRAM晶圆，并进行实际优艾设计网_PS论坛性能演示。

TDK的MRAM技术是基于STT(自旋转移力矩)的，这个技术方案以前就有了。然而，TDK正在研究一种新的方法，利用磁荷存储数据，并通过STT效应命名数据状态，可以抑制电子在写入数据时获得磁场强度的变化。

据PCWORLD报道，TDK还在展会现场对STT MRAM和闪存进行了性能对比。左边是他们开发的STT MRAM平台，右边是NOR闪存，MRAM的性能是NOR闪存的7倍以上。

目前，MRAM技术仍在开发中。TDK已经生产了8英寸的MRMA晶圆(见第一张图片)，通过其Headway公司进行测试。但是，Headway公司没有大规模生产的能力，所以TDK需要一个合作伙伴来帮助他们在未来生产MRAM。

在MRAM领域，TDK的主要竞争对手是美国的Everspin公司。两年前，他们还推出了ST MRAM芯片，其容量为16Mb，读写性能惊人。

但是，目前的MRAM技术都是镜中花，理论上有很好的优势，但是技术一点都不成熟，也有固有的缺点，距离实用化还有很长的路要走。