美光40亿美元扩建3D闪存厂全面转向16nm工艺？

传统平板闪存在16/15nm技术之后面临瓶颈，厂商纷纷转向3D闪存，其中三星最快。去年开始量产第二代V-NAND闪存，850 Pro和850 Evo硬盘也上市了。东芝/SanDisk部门也在跟进，在日本扩建Fab 2工厂，为3D闪存的生产做准备，英特尔/Micron部门也在去年底公开了他们的3D NAND闪存，现在已经可以量产了。近日，美光宣布将投资40亿美元在新加坡扩建Fab 10晶圆厂，并于明年年底开始量产第二代3D NAND闪存。

美光斥资40亿美元升级Fab 10X fab，生产3D NAND闪存。

美光在新加坡现有的Fab 10N晶圆厂，月产能约为14万片等效晶圆。这次新建的Fab 10X晶圆厂主要生产第二代3D NAND闪存。建成后，月产能仍在14万片当量左右，但之后将使用3D NAND闪存，因此总产能较大，可支撑未来几年每年40-50%的位容量增长。

总投资约40亿美元，整个项目要到2017财年，即2016年第四季度才能完工，其中2015财年前期投资5亿美元。

美光的Fab 10X工厂主要生产第二代3D NAND闪存。根据英特尔此前的说法，第二代3D NAND闪存最多可以堆叠32层NAND，管芯的核心容量高达256Gb，因此可以达到1TB的容量。如果是TLC闪存，管芯的容量可以达到384Gb，在2mm的厚度下可以达到1TB的容量，也就是一个SD卡的大小有TB的容量。

美光的3D NAND闪存路线图。

根据美光的路线图，在平面16nm工艺之后，他们将100%专注于3D NAND闪存，搭载3D NAND闪存的固态硬盘将于2015年底在消费市场推出，但这款应该是第一代3优艾设计网_PS百科D NAND，有16个堆叠层，略低于三星的V-NAND。